芯片抛光研磨

CMP 已經成爲半導體行業多年來的常見術語。它已經被賦予了兩個不同的含義。

在微芯片制造的早期，CMP（化學機械抛光）被簡單地認爲是一種表面處理技術，它采用了化學手段的材料氧化與機械磨損相結合，以抛光未使用的矽晶片。早期的抛光墊是由天然皮革材料制成的，存在許多問題。合成材料開始被采用，因此今天我們有三種基本類型的抛光墊，盡管在每個類别中都有許多版本。

在制造成品晶片（帶有多層金屬沉積和氧化物等）的開發中，有必要對這些不同的沉積物進行平坦化處理。新的墊選項以及針對各種金屬和氧化物等的新一代晶片抛光（漿料）被設計出來。開始使用了 CMP（化學機械平坦化）這一術語。抛光機器重新設計了不同的微處理器選項，以實現基本抛光參數的控制以及過程數據的收集。因此，今天我們有一個非常詳細的技術，它采用高技術機器、漿料和抛光墊。